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Secretario General del IPN - Dr. Julio Mendoza Álvarez

Dr. Julio Mendoza Alvarez


Secretario General

Dr. Julio G. Mendoza​ Álvarez

Nació en la ciudad de P​uebla, México, el 12 de Marzo de 1952. Cursó su Licenciatura en Física y Matemáticas en la Escuela Superior de Física y Matemáticas del Instituto Politécnico Nacional en donde obtuvo, hasta el año de 1977, el mejor promedio en la historia de la ESFM. Realizó la Maestría en Ciencias en la Especialidad de Física en el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN en 1975 y obtuvo el grado con la tesis sobre el proceso de descarga Xerográfica en monocristales de azufre ortorrómbico. Obtuvo el Doctorado en Ciencias en la Especialidad de Física en el Instituto de Física de la Universidade Estadual de Campinas (Unicamp) en Sao Paulo, Brasil en 1979, con una tesis sobre el efecto de los portadores libres en el índice de refracción de la región activa de láseres de arseniuro de galio (GaAs), que en esos años se desarrollaron para aplicarlos en los primeros sistemas de comunicaciones por fibra óptica.

Formación académica

Experiencia profesional

Administrativa

  • Director General del Instituto de Ciencia y Tecnología del Distrito Federal (ICyTDF).
  • Secretario Académico del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados (Cinvestav) del IPN.
  • Presidente de la Sociedad Científica del Cinvestav.
  • Secretario de la Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y de Vacío A.C.
  • Coordinador Adjunto de Investigación y Planeación del IPN.

Académica

  • Investigador Titular del Departamento de Física del Cinvestav-IPN desde el año de 1980.
  • Profesor Visitante en la Universidad de Princeton (1982-1983).
  • Profesor visitante en la Universidade Estadual de Campinas, Brasil (1984).
  • Profesor visitante en la Universidad de California en Santa Bárbara (1986-1987)
  • Profesor visitante en el Laboratorio de Semiconductores de la Pontificia Universidad Católica (PUC) de Río de Janeiro, Brasil (2005-2006).
  • Consultor Científico de la compañía Energy Conversion Devices, pionera en el desarrollo de las celdas solares de silicio amorfo a inicios de los años 1980.
  • Consultor Internacional en el “Centro de Pesquisas e Desenvolvimento-Telebrás” en Brasil en 1990.

Sociedades, comités y consejos en los que ha participado

  • Miembro del Consejo Directivo del Centro Latinoamericano de Física (CLAF), con sede en Río de Janeiro, Brasil.
  • Integrante del Comité Evaluador de Ciencias Exactas del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (Conacyt).
  • Miembro del Comité de Evaluación del área I del SNI para el trienio 2007-2009.
  • Presidente del Comité de Evaluación del Área 1 del SNI en 2009.
  • Miembro del Consejo Consultivo del SNI en 2009.
  • Presidente de la Comisión Revisora del Área I del SNI en 2013.

Distinciones

  • Miembro del Sistema Nacional de Investigadores (SNI) del Conacyt desde su creación en 1984, y es Nivel III desde 1999.
  • Miembro de la Academia Mexicana de Ciencias desde 1985.
  • Premio de la Academia de la Investigación Científica 1991 en el área de Ciencias Exactas
  • Premio a la Investigación 2001 “Francisco Mejía Lira” de la Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y de Vacío, A.C.

Líneas de Investigación

  • Efectos de la inyección de portadores libres sobre las propiedades ópticas de los semiconductores de la familia III-V, y su influencia en el desempeño de los dispositivos optoelectrónicos fabricados con éstos materiales.
  • El crecimiento y caracterización de películas semiconductoras de alta calidad cristalina de aleaciones binarias de arseniuro de galio (GaAs), de aleaciones ternarias de arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs), y de aleaciones cuaternarias de Indio-galio-arsénico-antimonio (InGaAsSb) por medio de la técnica de epitaxia en fase líquida.
  • El crecimiento de películas de telururo de cadmio (CdTe), habiendo desarrollado la técnica de deposición por transporte de vapor en espacio cerrado, con la cual se consiguieron crecer películas de tamaños de grano grande con buenas propiedades fotoluminiscentes.
  • El método de erosión catódica con radio frecuencia (r. f. sputtering) para crecer películas semiconductoras tipo II-VI como CdTe, CdNiTe y CdSbTe. Con éste método de crecimiento desarrolló un nuevo tipo de semiconductor: el telururo de cadmio amorfo (a-CdTe:O).
  • Usando el método de crecimiento por la técnica de sol-gel, ha reportado el crecimiento de películas de óxidos semiconductores tales como el dióxido de titanio (TiO2), el óxido de zinc (ZnO), el óxido de cadmio (CdO) y sus aleaciones para aplicaciones en el uso de procesos de fotocatálisis para la degradación de moléculas contaminantes genotóxicas como el benceno y el tolueno, y también con importantes aplicaciones en las estructuras de celdas solares de películas delgadas, en las cuales éstos óxidos desempeñan un papel importante como ventanas ópticas con alto coeficiente de transmisión que incrementan la eficiencia de las celdas.
  • Pionero en la aplicación de las técnicas fototérmicas para el estudio de los semiconductores.
  • Desarrolló una línea de estudios teóricos y experimentales sobre el uso de la técnica fotoacústica para caracterizar parámetros de calidad en semiconductores, como los tiempos de recombinación no radiactiva y los tiempos Auger.
  • Pionero en México en el estudio, crecimiento y caracterización de nanocristales semiconductores.
  • Junto al Grupo del Laboratorio de Semiconductores de la Pontificia Universidad Católica de Río de Janeiro trabaja en la actualidad en el estudio y aplicación de puntos cuánticos de arseniuro de indio (InAs) para aplicaciones en fotodetectores de infrarrojo.
  • Integró un grupo multidisciplinario de físicos, biólogos e ingenieros para desarrollar microarreglos de ácido desoxirribonucleico (DNA), combinando técnicas de procesamiento de semiconductores y de biología molecular, para fabricar dispositivos aplicables en la detección de mutaciones en segmentos de DNA y su correlación con el diagnóstico temprano del cáncer cérvico-uterino y los serotipos del dengue.

Formación de recursos humanos del alto nivel


Ha dirigido 8 Tesis de Doctorado; 11 Tesis de Maestría; y 2 Tesis de Licenciatura. Dos de sus estudiantes son actualmente niveles III del SNI y tres son nivel I.

Publicaciones

  • Ha publicado más de 130 artículos en revistas indizadas en el Journal of Citation Reports (JCR) con alto factor de impacto, 7 de éstas publicaciones han sido en la revista Applied Physics Letters, la revista de mayor impacto a nivel internacional en el área de la Física Aplicada; 25 publicaciones en revistas internacionales con refereo; 20 publicaciones en revistas nacionales con refereo; 9 publicaciones en memorias de congresos internacionales y nacionales; 4 reportes técnicos sobre desarrollos tecnológicos en proyectos vinculados; y sus artículos han sido citados más de 1000 veces, y tiene un índice H de 18.
  • Ha presentado más de 170 trabajos en congresos internacionales de su especialidad (semiconductores, propiedades ópticas y dispositivos optoelectrónicos).
  • Entre las citas internacionales a sus publicaciones, destacan 10 citas provenientes de certificados de patentes otorgadas por la Oficina de Patentes de los Estados Unidos de América.
  • Sus artículos publicados en las revistas Applied Physics LettersJournal of Applied Physics y Journal of Lightwave Technology, han acumulado más de 160 citas en la literatura internacional desde 1981, y aún en 2015 continúan citándose.

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